被处理体之氧化方法、氧化装置及记录媒体

摘要

本发明系提供一种被处理体之氧化方法，其可高度地维持氧化膜之膜厚面间的均匀性。一种被处理体之氧化方法，其系于具有特定长度之可抽成真空之处理容器22内收容复数片被处理体W，供给氧化性气体与还原性气体至上述处理容器内使上述两种气体反应，于藉此产生之具有氧活性种及羟基活性种之气氛中使上述被处理体之表面氧化者，其中可自上述处理容器之长度方向一端侧供给上述氧化性气体，自设置于上述处理容器之长度方向不同位置的复数个气体喷射口供给上述还原性气体，并且相应上述处理容器内之上述被处理体之收容片数与收容位置，选择上述气体喷射口内之任何一个，自该选择之气体喷射口供给还原性气体。藉此，可较高地维持氧化膜之膜厚面间的均匀性。