| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含形成在一半导体基底上的 一光电转换部份,提供在该光电转换部份上的第一 透明膜,和提供在第一透明膜上,在相关于该光电 转换部份的位置上的一层间透镜,其中: 该层间透镜具有比第一透明膜高的折射率,和以两 或多种化合物之薄膜多层构造形成的第二透明膜 的上和下表面至少之一形成有突出形状。 2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中第二透 明膜包括选自金属化合物和矽化合物的两或多种 化合物。 3.一种半导体装置,包含形成在一半导体基底上的 一光电转换部份,提供在该光电转换部份上的第一 透明膜,和提供在第一透明膜上,在相关于该光电 转换部份的位置上的一层间透镜,其中: 该层间透镜具有比第一透明膜高的折射率,和以溅 镀方法形成的第二透明膜的上和下表面至少之一 形成有突出形状。 4.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中第二透 明膜包括选自金属化合物和矽化合物的两或多种 化合物。 5.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中第二透 明膜包括两或多种化合物。 6.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中第二透 明膜为两或多种化合物的薄膜多层构造。 7.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中第二透 明膜为一薄膜多层构造,其中氧化钛层和氮化矽层 交替的层叠。 8.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中第二透 明膜为一薄膜多层构造,其中氧化钛层和氧化矽层 交替的层叠。 9.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中由于在 光电转换部份上的一凹陷部份,第一透明膜具有一 凹陷部份在一上表面,和该层间透镜以嵌合在上表 面上的凹陷部份中的第二透明膜形成以形成一突 起在第二透明膜的一下表面上。 10.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中具有 比第二透明膜低的折射率的第三透明膜形成在第 二透明膜上。 11.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中一微 透镜形成在第三透明膜上方。 12.如申请专利范围第6项的半导体装置,其中第二 透明膜为一薄膜多层构造,其中氧化钛层和氮化矽 层交替的层叠。 13.如申请专利范围第6项的半导体装置,其中第二 透明膜为一薄膜多层构造,其中氧化钛层和氧化矽 层交替的层叠。 14.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中由于 在光电转换部份上的一凹陷部份,第一透明膜具有 一凹陷部份在一上表面,和该层间透镜以嵌合在上 表面上的凹陷部份中的第二透明膜形成以形成一 突起在第二透明膜的一下表面上。 15.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中具有 比第二透明膜低的折射率的第三透明膜形成在第 二透明膜上。 16.如申请专利范围第15项的半导体装置,其中一微 透镜形成在第三透明膜上方。 17.一种半导体装置的制造方法,包含的步骤为: 形成第一透明膜在一半导体基底上,该半导体基底 提供有一光电转换部份; 以两或多种化合物之薄膜多层构造形成第二透明 膜在第一透明膜上,该第二透明膜的折射率大于第 一透明膜的折射率;和 产生一层间透镜以形成一突起在第一透明膜上的 第二透明膜的上和下表面至少之一上,在相关于光 电转换部份的位置上。 18.一种半导体装置的制造方法,包含的步骤为: 形成第一透明膜在一半导体基底上,该半导体基底 提供有一光电转换部份; 以溅镀方法形成第二透明膜在第一透明膜上,该第 二透明膜的折射率大于第一透明膜的折射率;和 产生一层间透镜以形成一突起在第一透明膜上的 第二透明膜的上和下表面至少之一上,在相关于光 电转换部份的位置上。 19.如申请专利范围第18项的半导体装置的制造方 法,其中形成第二透明膜的步骤乃藉由同时溅镀两 或多种化合物以形成第二透明膜。 20.如申请专利范围第18项的半导体装置的制造方 法,其中形成第二透明膜的步骤乃藉由循序的或重 覆的层叠两或多种化合物的薄膜以使具有一薄膜 多层构造以形成第二透明膜。 图式简单说明: 图1为本发明的半导体装置的一实施例的CCD固态成 像装置的一图素构造的横截面图。 图2A至2F为图1之CCD固态成像装置的制造方法的横 截面图。 图3为本发明的半导体装置的另一实施例的CCD固态 成像装置的一图素构造的横截面图。 图4为习知CCD固态成像装置的一图素构造的横截面 图。 图5A至5E为习知CCD固态成像装置的制造方法的横截 面图。 |
