发明名称 |
Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Halbleitermaterialien |
摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trennen von Halbleitermaterialien, bei dem ein Laserstrahl auf eine Trennzone des Halbleitermaterials gerichtet wird, wobei die Wellenlänge des Laserstrahls derart gewählt wird, daß der Laserstrahl von dem Halbleitermaterial teilweise unter Teilabsorption transmittiert wird.</p> |
申请公布号 |
DE102004024475(A1) |
申请公布日期 |
2005.12.01 |
申请号 |
DE20041024475 |
申请日期 |
2004.05.14 |
申请人 |
LZH LASERZENTRUM HANNOVER E.V. |
发明人 |
HAUPT, OLIVER;LANGE, BERND |
分类号 |
B23K26/06;B23K26/40;(IPC1-7):H01L21/78;H01L21/304 |
主分类号 |
B23K26/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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