| 发明名称 | 半色调掩模光刻热熔成形微透镜阵列方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种利用半色调掩模结合热熔技术成形微透镜阵列的新方法。与现有的方法相比，该方法不仅可大大降低微结构成形对掩模加工精度的要求，简化工艺过程；而且采用该方法可大大的拓展传统半色调掩模法的加工范围。可制作矢高几百纳米至近百微米、口径100微米至几毫米的微结构。制作的微透镜阵列具有填充因子接近100％、高频损失少、面形保真度高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN1702481A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200410009113.4 | 申请日期 | 2004.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明人 | 董小春;杜春雷;邱传凯;李淑红;赵泽宇 |
| 分类号 | G02B3/00;G03F7/20 | 主分类号 | G02B3/00 |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘秀娟;成金玉 |
| 主权项 | 1、半色调掩模光刻热熔成形微透镜阵列方法，其特征在于：主要通过以下步骤完成：(1)根据目标微透镜阵列的结构参数和面形设计并制作半色调光刻掩模；(2)利用掩模对光致抗蚀剂表面进行接触、接近或投影曝光；(3)对曝光后的抗蚀剂进行显影，获得表面粗糙的微浮雕结构；(4)对微浮雕结构表面进行高温热熔平滑。 | ||
| 地址 | 610209四川省成都市双流350信箱 | ||