| 发明名称 |
End-point detection in plasma etching or phosphosilicate glass |
| 摘要 |
A method for determining the completion of removal by plasma etching of phosphorus doped silicon dioxide from an underlying substrate.
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| 申请公布号 |
US4415402(A) |
申请公布日期 |
1983.11.15 |
| 申请号 |
US19810250375 |
申请日期 |
1981.04.02 |
| 申请人 |
THE PERKIN-ELMER CORPORATION |
发明人 |
GELERNT, BARRY;WANG, C. WALLACE |
| 分类号 |
C23F4/00;G01N21/67;H01J37/32;(IPC1-7):H01L21/30;C03C15/00 |
主分类号 |
C23F4/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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