| 发明名称 | 集成电路静放电保护装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件电路(1)静放电保护装置，包含具有栅极，源极及漏极区域之一基于场效晶体管的变阻器，其中该源极及漏极区域之一是被连接至该半导体器件之输入/输出焊接区(2)，而该源极及漏极区域另一者是被连接至该电路(1)之输入/输出终端。一偏压电路(8)是被连接至该变阻器之该栅极区域以创造该半导体器件正常操作电压处之该变阻器之栅极区域以下之累积区域。该半导体器件较佳为一单衬底(11)上之一集成装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1702859A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200510074059.6 | 申请日期 | 2005.05.30 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | A·里特温;O·佩特斯森 |
| 分类号 | H01L23/60;H02H9/00;H01L27/02 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件电路(1)静放电保护装置，包含具有栅极(13)，源极(17)及漏极(17)区域之一基于场效晶体管的变阻器，其中该源极及漏极区域(17)第一者是被连接至该半导体器件之输入/输出焊接区(2)，而该源极及漏极区域(17)第二者是被连接至该电路(1)之输入/输出终端，其特色为该静放电保护装置是包含一偏压电路(8)，其被连接至该基于场效晶体管的变阻器之该栅极区域(13)以创造该半导体器件正常操作电压处之该基于场效晶体管的变阻器之该栅极区域以下之累积区域。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||