| 发明名称 | 透明氧化物半导体薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及新型透明氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1703772A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200380101292.8 | 申请日期 | 2003.10.10 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | P·F·卡西亚;R·S·麦克莱恩 |
| 分类号 | H01L21/363;H01L21/365;H01L29/24 | 主分类号 | H01L21/363 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种在场效应晶体管中沉积选自氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉的无掺杂的透明氧化物半导体的方法，包括选自以下的一种方法：a)在混合了惰性气体的氧气有效分压下物理气相沉积无掺杂的TOS；b)在有效氧气分压下电阻蒸发无掺杂的TOS；c)在有效氧气分压下激光蒸发无掺杂的TOS；d)在有效氧气分压下电子束蒸发无掺杂的TOS；和e)在有效氧气分压下化学气相沉积无掺杂的TOS。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||