升压电路

摘要

本发明提供升压电路。涉及需要高于电源电压的正或者负的高电压的非易失性存储器的升压电路，本申请发明即使在3V以下的低电源电压下也能够发生12V左右的高电压，用同一个电路不仅能够发生正的高电压，还能够发生负的高电压，另外，通过把作为本申请发明的升压电路的衬底控制型并联电气供给泵与串联型电气供给泵组合起来，能够有效地发生两种高电压，能够减小芯片面积。

主权项

1.一种升压电路，该升压电路连接了N级基本泵单元进行升压，其特征在于：上述基本泵单元至少具有第1MISFET、第2MISFET、第3MISFET和第1电容器，上述第1MISFET的反向栅极连接于第1节点，其源漏路径连接在第2节点与第3节点之间，上述第2MISFET的反向栅极连接于上述第1节点，其源漏路径连接在上述第1节点与第2节点之间，上述第3MISFET的反向栅极连接于上述第1节点，其源漏路径连接在上述第1节点与上述第3节点之间。