| 发明名称 | 制造具有多个层叠沟道的场效应晶体管的磷掺杂方法 | ||
| 摘要 | 通过在衬底的表面上形成预有源图形，同时避免用磷掺杂预有源图形制造集成电路场效应晶体管。预有源图形包括互相交替地层叠的一系列层间沟道层和沟道层。在预有源图形的相对端处的衬底上形成源区/漏区。然后有选择地除去多个层间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，以由此限定包括隧道的有源沟道图形和包括沟道层的多个沟道。在有选择地除去多个层间沟道层之后用磷掺杂沟道。然后在隧道中并围绕沟道形成栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1702843A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200510005728.4 | 申请日期 | 2005.01.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林珍俊 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/8232;H01L21/8234;H01L21/84 | 主分类号 | H01L21/335 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路场效应晶体管的方法，包括：在衬底的表面上形成预有源图形，同时避免用磷掺杂预有源图形，预有源图形包括互相交替地层叠的一系列层间沟道层和沟道层；在预有源图形的相对端处的衬底上形成源区/漏区；有选择地除去多个层间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定包括隧道的有源沟道图形和包括沟道层的多个沟道；在有选择地除去多个层间沟道层之后用磷掺杂沟道；以及在隧道中并围绕沟道形成栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||