| 发明名称 |
Shallow low energy ion implantation into pad oxidefor improving threshold voltage stability. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
SG116608(A1) |
申请公布日期 |
2005.11.28 |
| 申请号 |
SG20050002227 |
申请日期 |
2005.04.12 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
YISUO LI;FRANCIS BENISTANT;KIM HYUN SIK;ZHAO LUN |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
