发明名称 高低熔点球栅阵列结构
摘要 一种高低熔点球栅阵列结构,包括上层表面的半导体芯片,或包括半导体芯片在内的BGA基板和下层表面的印刷电路板;经由上下球栅阵列的SMT回焊连接,上层表面半导体芯片和下层表面相对应PCB电路,其特征是上层表面结构包含一套球栅阵列,安置在半导体芯片或BGA基板上,包括第一组高熔点锡球和第二组低熔点锡球;下层表面印刷电路板结构包含一套球栅阵列,包括第一组高熔点锡球和第二组低熔点锡球;本发明能增加焊锡接点抗剪应力强度及可靠度,改善积体电路密度提高后电路连接扇出问题,使半导体装置与PCB形成永久性连接。
申请公布号 CN1228826C 申请公布日期 2005.11.23
申请号 CN99102895.3 申请日期 1999.03.12
申请人 晶扬科技股份有限公司;何当豪 发明人 何当豪
分类号 H01L21/50;H05K3/32 主分类号 H01L21/50
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱进桂
主权项 1、一种高低熔点球栅阵列结构,包括:上层表面的半导体芯片,或包含半导体芯片在内的BGA基板,和下层表面的印刷电路板;经由球栅阵列的SMT回焊,连接上层表面半导体芯片和下层表面相对应PCB电路,其特征是:上层表面结构包含一套球栅阵列,被安置在半导体芯片或BGA基板上,包括第一组高熔点锡球和第二组低熔点锡球;第二组低熔点锡球占据球栅阵列去除第一组高熔点锡球后所剩下的空间位置。
地址 台湾省新竹县新竹工业区文化路4号