处理被处理基板的半导体处理方法和装置

摘要

一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。

主权项

1.一种在半导体处理装置中处理被处理基板的方法，其特征在于：它具备，在处理容器内一边将第一基板的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理的工序，在所述半导体处理中，在所述处理容器的内面上形成副产物膜；在所述半导体处理后，并且从所述处理容器取出所述第一基板后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理的工序，所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的；和在所述改质处理后，在所述处理容器内一边将第二基板的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理的工序。