| 主权项 |
1.一种透明导电膜形成液,其特征为:含有式[1]In(R1COCHCOR2)3 ……[1](式中R1及R2各自独立表碳原子数1至10之烷基或苯基)之铟化合物,及式[2](R3)2Sn(OR4)2 ……[2](式中R3表碳原子数1至10之烷基,R4表碳原子数1至10之烷基或碳原子数1至10之醯基)之锡化合物。2.如申请专利范围第1项之透明导电膜形成液,其中溶解式[1]之铟化合物及式[2]之锡化合物的溶剂,系-二酮类。3.如申请专利范围第1或2项之透明导电膜形成液,其中所含硷金属之量在2质量ppm以下。4.一种附有透明导电膜之基体的制造方法,系于基体上,直接或介以中间膜形成透明导电膜之附有透明导电膜之基体的制造方法,其特征为:于该基体或中间膜上,使用含有式[1]In(R1COCHCOR2)3 ……[1](式中R1及R2各自独立表碳原子数1至10之烷基或苯基)之铟化合物,及式[2](R3)2Sn(OR4)2 ……[2](式中R3表碳原子数1至10之烷基,R4表碳原子数1至10之烷基或碳原子数1至10之醯基)之锡化合物之透明导电膜形成液以化学热分解法形成透明导电膜。5.如申请专利范围第4项之附有透明导电膜之基体的制造方法,其中溶解式[1]之铟化合物及式[2]之锡化合物的溶剂系-二酮类化合物。6.如申请专利范围第4或5项之附有透明导电膜之基体的制造方法,其中所含硷金属之量在2质量ppm以下。7.一种附有透明导电膜之基体的制造方法,其特征为:于具有曲面或凹凸形状之基体上,直接或介以中间膜,以高温溶胶制程法形成透明导电膜。8.一种附有透明导电膜之基体的制造方法,其特征为:于具有曲面或凹凸形状之基体上,介以由高温溶胶制程法形成之中间膜,以高温溶胶制程法形成透明导电膜。9.一种附有透明导电膜之基体的制造方法,其特征为:于具有曲面或凹凸形状之基体上,直接或介以中间膜,使用如申请专利范围第1项的透明导电膜形成液以高温溶胶制程法形成透明导电膜。图式简单说明:第1图本发明之附有透明导电膜的基体(实施例1至3之附有ITO膜之玻璃基板)以ESCA测定结果之图。第2图以本发明之附有透明导电膜的基体之制造方法制造的附有透明导电膜之基体(实施例5之附有ITO膜的石英纤维)以ESCA作铟量测定之结果的图。第3图以本发明之附有透明导电膜的基体之制造方法制造的附有透明导电膜之基体(实施例5之附有ITO膜的石英纤维)以ESCA测定ITO膜于深度方向的铟及锡含量之结果的图。第4图以比较例2之附有透明导电膜的基板之制造方法制造的附有ITO膜之石英纤维(附有透明导电膜之基体)以ESCA测定铟量之结果的图。第5图以比较例2之附有透明导电膜的基板之制造方法制造的附有ITO膜之石英纤维(附有透明导电膜之基体)以ESCA测定ITO膜于深度方向的铟及锡含量之结果的图。 |
