| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,系具有:设于绝缘基板上之半导体层;闸极;及连接于上述半导体层之汲极及源极者;其特征为:上述半导体层具有:连接于上述汲极,被扩散有高浓度杂质的高浓度杂质区域;设于上述高浓度杂质区域之闸极侧,被扩散有低浓度杂质的低浓度杂质区域;及设于上述低浓度杂质区域之闸极侧,被扩散有微量浓度杂质而成之区域、或者设为本质半导体区域的补偿区域。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中具有:以高浓度N型杂质扩散之高浓度杂质区域;以低浓度N型杂质扩散之低浓度杂质区域;及被扩散有微量浓度P型杂质而成之区域、或者设为本质半导体区域的补偿区域;为N通道型。3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中具有:以高浓度P型杂质扩散之高浓度杂质区域;以低浓度P型杂质扩散之低浓度杂质区域;及被扩散有微量浓度N型杂质而成之区域、或者设为本质半导体区域的补偿区域;为P通道型。4.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中具有:电连接于上述闸极,平面上覆盖上述半导体层之补偿区域而形成的第2闸极。5.如申请专利范围第4项之薄膜电晶体,其中上述第2闸极被形成于较上述高浓度杂质区域更内侧。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之薄膜电晶体,其中具有多数个上述闸极。7.一种主动矩阵基板,其特征为具备申请专利范围第1至6项中任一项之薄膜电晶体。8.一种显示装置,其特征为具备申请专利范围第7项之主动矩阵基板。9.一种显示装置,系具备:多数条扫描线;多数条资料线;薄膜电晶体及画素电极,彼等各被配置于上述多数条扫描线与上述多数条资料线之交叉点;资料线驱动电路,用于供给资料至上述多数条资料线;及扫描线驱动电路,用于供给扫描信号至上述多数条扫描线;其特征为:上述资料线驱动电路具有多工器电路,可以对应选择信号而由一影像信号线将影像信号选择输出至多数条资料线;上述多数条扫描线与上述多数条资料线之交叉点上配置之各个薄膜电晶体系由申请专利范围第1至6项中任一项之薄膜电晶体形成。10.一种显示装置,系具备:多数条扫描线;多数条资料线;薄膜电晶体及画素电极,彼等各被配置于上述多数条扫描线与上述多数条资料线之交叉点;资料线驱动电路,用于供给资料至上述多数条资料线;及扫描线驱动电路,用于供给扫描信号至上述多数条扫描线;其特征为:上述资料线驱动电路具有多工器电路,可以对应选择信号而由一影像信号线将影像信号选择输出至多数条资料线;上述多工器电路之薄膜电晶体系由申请专利范围第1至6项中任一项之薄膜电晶体形成。11.一种电子机器,其特征为具备申请专利范围第8至10项中任一项之显示装置。图式简单说明:图1:薄膜电晶体之第1实施形态之断面构成图。图2:薄膜电晶体之第2实施形态之断面构成图。图3(a)~(d):实施形态之薄膜电晶体之断面制程图。图4(a)~(c):接续图3之断面制程图。图5(a):显示装置之一实施形态之液晶装置全体构成图,5(b):5(a)之H-H线之断面构成图。图6:电路构成图。图7:画素之平面构成图。图8:图7之A-A'线之断面构成图。图9:包含周边电路之电路构成图。图10:电子机器之一例之斜视构成图。图11:制造方法第2实施形态之断面制程图。图12:制造方法第2实施形态之断面制程图。 |
