发明名称 矽膜形成装置
摘要 (课题)在比较低的温度下能够便宜且更高速地来形成所希望的矽膜。(解决手段)本发明是一具备有:成膜室10、被设置在该室内的矽溅镀靶2、将氢气供给到该室内的氢气供给回路102或102’、及将高频电力施加在被供给到成膜室10内的氢气而产生感应结合电浆的高频电力施加装置(天线1、1’、电源PW等),藉由该电浆针对矽溅镀靶实施化学溅镀而在基板S上形成矽膜的矽膜形成装置。也可以同时使用矽烷气体。也可以在矽烷气体供给回路101设置气体储存部GR。
申请公布号 TW200537581 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW094109136 申请日期 2005.03.24
申请人 日新电机股份有限公司 发明人 东名敦志;高桥英治;藤原将喜;小寺隆志;小野田正敏
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本