发明名称 半导体装置、半导体基板之制造方法、及半导体装置之制造方法
摘要 本发明系提供一种半导体装置,该半导体装置系于绝缘基板上形成薄膜元件而成者,其中于上述半导体装置内混合存在有由非单晶Si薄膜所构成之薄膜电晶体及由单晶Si所构成之薄膜电晶体,由单晶Si所构成之薄膜电晶体的闸极电极膜系以含质量数比Si大的金属或其化合物的材料构成。
申请公布号 TW200537647 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW094108970 申请日期 2005.03.23
申请人 夏普股份有限公司 发明人 高藤裕;糸贺隆志;史帝芬R 朶斯;守口正生
分类号 H01L21/82;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/265;G02F1/136 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本
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