发明名称 |
半导体装置、半导体基板之制造方法、及半导体装置之制造方法 |
摘要 |
本发明系提供一种半导体装置,该半导体装置系于绝缘基板上形成薄膜元件而成者,其中于上述半导体装置内混合存在有由非单晶Si薄膜所构成之薄膜电晶体及由单晶Si所构成之薄膜电晶体,由单晶Si所构成之薄膜电晶体的闸极电极膜系以含质量数比Si大的金属或其化合物的材料构成。 |
申请公布号 |
TW200537647 |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
TW094108970 |
申请日期 |
2005.03.23 |
申请人 |
夏普股份有限公司 |
发明人 |
高藤裕;糸贺隆志;史帝芬R 朶斯;守口正生 |
分类号 |
H01L21/82;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/265;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
|
地址 |
日本 |