一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法

摘要

本发明是一种室温下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在室温下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。

主权项

1.一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征是在室温条件下利用反应直流磁控溅射法制备薄膜，具体制备条件如下：(1)制备温度为室温；(2)采用掺钼铟金属镶嵌靶，即在铟金属圆靶上的磁控溅射区内的小孔中均匀镶嵌钼金属丝；(3)直流磁控溅射电流为100～150mA，溅射电压为400-500V，溅射时间为1-15分钟；(4)将O2和Ar气体通入反应室使工作压强为2.5-4.5×10-1Pa，控制O2反应气体的分压为8.0～18.0％。