| 发明名称 | 改善的磁记录介质的晶粒结构 | ||
| 摘要 | 一种制造磁记录介质的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上面溅射至少第一下面层，其中该第一下面层包括铬基合金，以及在该第一下面层上面溅射至少第一中间层，其中该第一中间包括钴基合金。该方法还包括下述步骤：在该第一中间层上面溅射至少第一上面层，其中该第一上面层包括钴基合金。该第一下面层，该第一中间层和/或该第一上面层中的至少一层掺杂有X，其中，X是氧化电位小于－0.6电子伏特的金属。该第一下面层，该第一中间层和/或该第一上面层中的至少一层是在有氧的情况下反应性地溅射成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1697028A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200410057792.2 | 申请日期 | 2004.08.19 |
| 申请人 | 黑罗伊斯有限公司 | 发明人 | 程远达;史蒂文·罗格·肯尼迪;迈克尔·吉恩·拉辛 |
| 分类号 | G11B5/66 | 主分类号 | G11B5/66 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 顾红霞;钟强 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：衬底；形成在所述衬底上面的至少一个第一下面层，其中，所述第一下面层包括铬基合金；形成在所述第一下面层上面的至少一个第一中间层，其中，所述第一中间层包括钴基合金；以及形成在所述第一中间层上面的至少一个第一上面层，其中，所述第一上面层包括钴基合金，其中，所述第一下面层、所述第一中间层和/或所述第一上面层中的至少一层掺杂有X氧化物，且其中X是氧化电位小于-0.6电子伏特的金属。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||