| 发明名称 | 改进的双层布线双极型器件制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双层布线双极型器件制造工艺，其中进行基区推进时温度为950℃～1000℃，基区推进的时间为100分钟；进行发射区推进时温度为950℃～1000℃，发射区推进的时间为30～60分钟；采用大剂量注入的砷(As)离子作为发射区，注入的剂量不低于E<SUP>15</SUP>，注入离子的能量为20～80KeV。本发明的制造工艺能制造的器件的最小开孔尺寸为1.5×1.5μm，这样大大缩小了芯片尺寸。且其基区结深为0.7μm，发射区结深为0.4μm，这样可制成的高频器件，用于高频场合。 | ||
| 申请公布号 | CN1697145A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200410018261.2 | 申请日期 | 2004.05.12 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造有限公司 | 发明人 | 詹佳文;陈惠明 |
| 分类号 | H01L21/328;H01L21/8222 | 主分类号 | H01L21/328 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种改进的双层布线双极型器件制造工艺，具有常规的双层布线双极型制造工艺步骤，其特征在于，该工艺步骤中：进行基区推进时温度为950℃～1000℃，基区推进的时间为100分钟；进行发射区推进时温度为950C～1000C，发射区推进的时间为30～60分钟；采用大剂量注入的砷(As)离子作为发射区，注入的剂量不低于E15，注入离子的能量为20～80KeV。 | ||
| 地址 | 200233上海市虹漕路385号 | ||