单晶片清洗装置及其清洗方法

摘要

本发明提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以立即执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成分的影响，并且抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上的缺陷。根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，该方法在旋转要被清洗的衬底30的同时，通过化学液体8和冲洗液体14执行清洗，并且在通过在要被清洗的衬底30的上部移动化学液体喷嘴10来执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴16喷射出冲洗液体14，在要被清洗的衬底30上执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴16被固定放置在不干扰化学液体喷嘴10的移动的位置上。

主权项

1.一种单晶片清洗方法，其中在要被清洗的衬底旋转的同时，通过化学液体和冲洗液体清洗所述要被清洗的衬底，所述方法包括以下步骤：通过在所述要被清洗的衬底的上部移动化学液体喷嘴，执行化学液体处理；以及随后通过从冲洗喷嘴喷射出冲洗液体，对所述要被清洗的衬底执行冲洗处理，其中所述冲洗喷嘴被固定地放置在不干扰所述化学液体喷嘴的移动的位置上。