发明名称 半导体集成电路
摘要 一个集成电路具有一个第一和第二逻辑电路,上述逻辑电路具有共同的输入端子和相同的逻辑功能。第一逻辑电路具有一个pMISFET电路模块和一个nMISFET电路模块,其中每个电路模块均具有一个高阈值,而第二逻辑电路具有一个pMISFET电路模块和一个nMISFET电路模块,其中每个电路模块均具有一个低阈值。一个输出开关电路介于各个逻辑电路中的pMISFET和nMISFET电路模块之间并且控制电源与各个逻辑电路的连接。当工作时,第二逻辑电路的输出被连接到输出端子以实现低功耗。当处于后备状态时,第一逻辑电路的输出被连接到输出端子以实现低泄漏电流。
申请公布号 CN1227740C 申请公布日期 2005.11.16
申请号 CN01143922.X 申请日期 2001.12.26
申请人 株式会社东芝 发明人 亀山敦;布施常明;吉田雅子;大内和则
分类号 H01L27/00;H01L21/70 主分类号 H01L27/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种半导体集成电路,其中包括:一个第一逻辑电路,所述第一逻辑电路具有一个第一输入端子,并且包括一个第一逻辑模块和一个第一反转逻辑模块,所述第一逻辑模块包括一个具有阈值电压Vtp1的p型FET,所述第一反转逻辑模块包括一个具有阈值电压Vtn1的n型FET,所述第一逻辑模块和所述第一反转逻辑模块连接在具有电压V1的第一电源和参考电位之间;一个第二逻辑电路,所述第二逻辑电路具有与所述第一逻辑电路相同的逻辑功能,所述第二逻辑电路具有连接到所述第一输入端子的第二输入端子,并且包括一个第二逻辑模块和一个第二反转逻辑模块,所述第二逻辑模块包括一个具有阈值电压Vtp2的p型FET,Vtp2<Vtp1,所述第二反转逻辑模块包括一个具有阈值电压Vtn2的n型FET,Vtn2<Vtn1,所述第二逻辑模块和所述第二反转逻辑模块连接在一个具有电压V2的第二电源和所述参考电位之间,V2<V1;和一个介于所述第一逻辑电路中的所述第一逻辑模块和所述第一反转逻辑模块之间以及所述第二逻辑电路中的所述第二逻辑模块和所述第二反转逻辑模块之间的输出开关电路,并且所述输出开关电路具有一个输入控制信号的控制信号端子和一个根据所述控制信号输出所述第一逻辑电路的输出和所述第二逻辑电路的输出之一的输出端子。
地址 日本东京都