发明名称 DRAM cell having annular signal transfer region
摘要 <p>Paměťové zařízení (200) v substrátu, který má rýhu s bočními stěnami v substrátu, obsahuje vodiče (246) bitové linky a vodiče (230) linky linky slov. Uzel uchování signálu má první elektrodu (202), druhou elektrodu (204) vytvořenou v rýze (252; DT), a dielektrikum (206) uzlu vytvořené mezi elektrodami (202, 204). Zařízení pro přenos signálu má: prstencovou oblast (222) přenosu signálu s vnějším povrchem přilehlým k bočním stěnám (212) rýhy (252; DT), vnitřním povrchem, prvním a druhým koncem; první difuzní oblast (218) spojující první konec oblasti (222) přenosu signálu s druhou elektrodou (204) uzlu uchování signálu; druhou difuzní oblast (220) spojující druhý konec oblasti (222) přenosu signálu s vodičem (246) bitové linky; izolátor (224) hradla pokrývající vnitřní povrch oblasti (222) přenosu signálu; a vodič (226) hradla pokrývající izolátor (224) hradla a připojený k vodiči (230) linky slov.Vodivý spojovací člen (236) spojuje oblast (222) přenosu signálu s referenčním napětím.</p>
申请公布号 CZ295847(B6) 申请公布日期 2005.11.16
申请号 CZ20010001964 申请日期 1999.11.26
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 AGAHI FARID;HSU LOUIS;MANDELMAN JACK
分类号 H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
地址