发明名称 |
一种形成分层半导体工艺结构的方法与相应的分层半导体工艺结构 |
摘要 |
下面的发明提供了一种方法,用于形成一个分层半导体结构,该结构具有在基片(1;1′)上的第一半导体工艺材料层(5),该基片包括至少一种第二半导体工艺材料,该方法包含以下步骤:提供所述基片(1;1′);在所述基片(1;1′)中埋入所述第一半导体工艺材料层(5),所述掩埋层(5)具有一上表面(105)及一下表面(104),并且将所述基片(1;1′)分成上部分(1a)及下部分(1b;1b′;1c);制造一掩埋损伤层(10,10′;10″;100″),该掩埋损伤层至少部分连接并/或至少部分包含所述掩埋层(5)的上表面(105);及去掉所述基片(1;1′)的上部分(1a)和所述掩埋损伤层(10;10′;10″;100″),以露出所述掩埋层(5)。该发明还提供相应分层半导体结构。 |
申请公布号 |
CN1698193A |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
CN02820195.7 |
申请日期 |
2002.10.11 |
申请人 |
硅电子股份公司 |
发明人 |
维尔弗里德·阿滕贝格尔;约尔格·林德纳;贝恩德·施特里茨克 |
分类号 |
H01L21/74;H01L21/265;H01L29/165;H01L33/00;B81C1/00;H01L21/762;H01L21/04;H01L21/324;H01L21/322 |
主分类号 |
H01L21/74 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
1、一种形成分层半导体工艺结构的方法,该结构具有在基片(1;1’)上的第一半导体工艺材料层(5),该基片至少包括一个第二半导体工艺材料,该方法包含以下步骤:提供所述基片(1;1’);在所述基片(1;1’)中埋入所述第一半导体工艺材料层(5),所述掩埋层(5)具有一上表面(105)及一下表面(104),并且将所述基片(1;1’)分成上部分(1a)及下部分(1b;1b’,1c);制造一掩埋损伤层(10;10’;10”,100”),该掩埋损伤层至少部分连接并/或至少部分包含所述掩埋层(5)的上表面(105);及去掉所述基片(1;1’)的上部分(1a)及掩埋损伤层(10;10’;10”,100”),以露出所述掩埋层(5)。 |
地址 |
德国慕尼黑 |