| 发明名称 | 利用电子束制程增加界面附着性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种利用电子束制程增加界面附着性的方法。首先，在表面形成有一第一绝缘层的基底上形成一第二绝缘层。接着，对两绝缘层的界面实施一第一电子束制程(electron beam process)。之后，可在第二绝缘层上形成一第三绝缘层，且对两绝缘层的界面实施一第二电子束制程。再者，本发明揭示另一种利用电子束制程增加界面附着性的方法。首先，提供一基底，其上形成有一金属层或一介电层。接着，在金属层上形成一介电层，或在介电层上形成一金属层。之后，对金属层及介电层的界面实施一电子束制程。 | ||
| 申请公布号 | CN1534740A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN03121242.5 | 申请日期 | 2003.03.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 包天一;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/3105;H01L21/326 | 主分类号 | H01L21/3105 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种利用电子束制程增加界面附着性的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一第一绝缘层；以及对该基底及该第一绝缘层的界面实施一第一电子束制程，使其产生交联作用。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||