| 主权项 |
1.一种形成多晶矽锗层的方法,该形成多晶矽锗层的方法包含:提供一底材,该底材上具有一介电层于其上;及执行一以二矽乙烷Si2H6(Disilane)与含锗气体为前驱物之化学气相沈积制程形成一多晶矽锗层于该介电层上。2.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该底材包含一矽晶圆。3.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该介电层包含一闸极氧化层。4.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该含锗气体包含一GeH4气体。5.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该前驱物更包含一氢气H2而该含锗气体包含一Ge气体。6.如申请专利范围第4项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该Si2H6气体的流量为约5sccm至约15sccm之间,该GeH4气体的流量为约20sccm至约240sccm之间。7.如申请专利范围第5项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该Ge气体的流量为约20sccm至约240sccm,H2氢气的流量为约40sccm至约480sccm,Si2H6气体的流量为约5sccm至约15sccm。8.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该多晶矽锗层为SiGe。9.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该多晶矽锗层为SixGey。10.如申请专利范围第1项之形成多晶矽锗层的方法,其中该化学气相沈积制程于约500℃至约600℃之间进行反应。11.一种形成多晶矽锗层的方法,该形成多晶矽锗层的方法包含:提供一底材,该底材上具有一闸极介电层于其上;及执行一以二矽乙烷Si2H6(Disilane)与GeH4气体为前驱物之化学气相沈积制程形成一多晶矽锗层于该闸极介电层上。12.如申请专利范围第11项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该底材包含一矽晶圆。13.如申请专利范围第11项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该闸极介电层包含一闸极氧化层。14.如申请专利范围第11项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该Si2H6气体的流量为约5sccm至约15sccm之间,该GeH4气体的流量为约20sccm至约240sccm之间。15.如申请专利范围第11项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该多晶矽锗层为SixGey。16.如申请专利范围第11项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该多晶矽锗层为SiGe其中之一。17.如申请专利范围第11项之形成多晶矽锗层的方法,其中该化学气相沈积制程于约500℃至约600℃之间进行反应。18.一种形成多晶矽锗层的方法,该形成多晶矽锗层的方法包含:提供一底材,该底材上具有一闸极介电层于其上;及执行一以二矽乙烷Si2H6(Disilane)、H2氢气与Ge气体为前驱物之化学气相沈积制程形成一多晶矽锗层于该闸极介电层上。19.如申请专利范围第18项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该底材包含一矽晶圆。20.如申请专利范围第18项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该介电层包含一闸极氧化层。21.如申请专利范围第18项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该Ge气体的流量为约20sccm至约240sccm,H2氢气的流量为约40sccm至约480sccm,Si2H6气体的流量为约5sccm至约15sccm。22.如申请专利范围第18项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该多晶矽锗层为SiGe。23.如申请专利范围第18项之形成多晶矽锗层的方法,其中之该多晶矽锗层为SixGey。24.如申请专利范围第18项之形成多晶矽锗层的方法,其中该化学气相沈积制程于500℃至600℃之间进行反应。图式简单说明:第一A图与第一B图分别显示直接形成多晶矽锗于氧化层的电子显微镜照片与其示意图;第二A图与第二B图分别显示多晶矽晶种层形成于氧化层上而多晶矽锗层则形成于多晶矽晶种层的电子显微镜照片与其示意图;及第三A图与第三B图分别显示多晶矽锗形成于氧化层上的电子显微镜照片与其示意图。 |
