| 主权项 |
1.一种用于离子植入之装置,包含:一离子源,具有一第一轴;一工件固定座,构成以供机械扫描于沿着垂直于第一轴之一运动路径的线性运动;可选择调整之旋转控制结构,供运用于旋转一工件,藉着运用该运动路径作为一旋转轴,以当工件系安装于工件固定座时为于一选择旋转角度而定位该工件上之一植入表面;及一束测量元件,构成以供扫描沿着植入表面之一意欲位置,以提供符合该意欲位置之一装设测量。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该离子源包含一平行路径扇形束,其具有垂直于第一轴之一个二维横截面,其系于一维为相较于另一维之至少二倍大。3.如申请专利范围第1项之装置,更包含:至少一电荷中性化构件,选自于由一电子浸没电子枪与一电浆电桥所组成之群,导向朝着该工件固定座以供束电荷建立之中性化;及一可旋转机构,构成以维持该电荷中性化构件为对应旋转对齐于工件固定座。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该可旋转机构系为对齐于运动路径,俾使可旋转机构系可旋转为线性对齐于该可选择调整之旋转控制结构,使得其对于工件表面之间隔的一方位系维持为一固定间隔。5.如申请专利范围第3项之装置,其中该可旋转机构包含一臂,其适以维持介于工件固定座与电荷中性化构件之间的一固定间隔。6.一种用于工件之离子植入方法,包含步骤:产生一离子束,其垂直于具有一X轴与一Y轴之一第一XY平面;识别一第二平面,藉着旋转该第一XY平面绕于Y轴;测量沿着于第二平面之一线的有效离子束强度,以提供一束强度讯号;调整该离子束,基于束强度讯号,以得到一已调整的离子束,其具有沿着于第二平面之该线的一期望离子束强度;旋转该工件,以呈现对齐于第二平面之一植入表面;及平移已旋转的工件为沿着Y轴,以将该工件通过已调整的离子束而达成离子植入于工件。7.如申请专利范围第6项之方法,更包含步骤:定位一电荷中性化元件为于旋转对齐该工件之一位置。图式简单说明:第1图系如同先前技艺所运用之一种离子植入系统的侧面中间截面图;第2图系一种先前技艺之取样系统的俯视中间截面图,该种取样系统运用一法拉第杯于一装配平面,其系垂直于一扫描离子束;第3图系侧面中间截面图,绘出一种先前技艺之离子植入装置,其包括一种用于调整植入角度之倾斜晶圆系统;第4图系一种离子植入系统之俯视中间截面图,该种系统包括一旋转驱动臂,其系可运用以调整植入角度;第5图系俯视中间截面图,显示一种离子束装设取样系统,其系可与第4图所示系统为关连而运用;第6图系于第4图所示系统之侧面中间截面图;及第7A与7B图系于第6图所示系统之俯视图,针对工件之不同旋转角度。 |
