氮化物系半导体元件

摘要

准备被掺杂p型杂质而且具有充分的导电性的p型矽基板1。于基板1上依序使由n型AlInGaN构成的缓冲范围3、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层13、活性层14、及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层15磊晶成长。藉由于p型矽基板1与由n型AlInGaN构成的n型缓冲范围3的异质接合的界面位准(interface state)，提高矽基板1的载子的向n型缓冲范围3的输送效率、降低发光二极体的驱动电压。

主权项

1.一种氮化物系半导体元件,其特征为具备:具有导电性的p型矽基板、和已形成于前述p型矽基板的一方的主面上的n型氮化物半导体范围、和为了形成已配置于前述n型氮化物半导体范围之上的半导体元件的主要部之主半导体范围、和已被连接于前述主半导体范围的第1电极、和已被连接于前述p型矽基板的他方的主面的第2电极。2.如申请专利范围第1项所述之氮化物系半导体元件,其中,前述n型氮化物半导体范围,在能形成由该n型氮化物半导体范围向前述p型矽基板的电流通路的状态,接触至前述p型矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之氮化物系半导体元件,其中,前述n型氮化物半导体范围系在以化学式AlaInbGal-a-bN,在此,a及b系满足0≦a<1、0≦b<1的数値,所示的材料添加n型杂质。4.如申请专利范围第1项所述之氮化物系半导体元件,其中,具备:再加上配置于前述n型氮化物半导体范围与前述p型矽基板之间而且具有能得到量子力学的穿隧效应的厚度而且以具有比前述n型氮化物半导体范围大的阻抗率的材料形成的介在层。5.如申请专利范围第4项所述之氮化物系半导体元件,其中,前述介在层的材料为含有铝的氮化物半导体。6.如申请专利范围第5项所述之氮化物系半导体元件,其中,前述n型氮化物半导体范围系在以化学式AlaInbGal-a-bN,在此,a及b系满足0≦a<1、0≦b<1的数値,所示的材料添加n型杂质,而且前述介在层系在由以化学式AlxInyGal-x-yN,在此,x及y系满足0