| 发明名称 | 金属镶嵌极端远紫外线光刻技术用光掩模及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于极端远紫外线光刻(EUVL)辐射的光刻掩模。所述掩模包括：多层叠层，能充分反射所述EUVL辐射；附加多层叠层，在多层叠层顶部形成；以及吸收材料，在沟槽中形成，其中在所述附加多层叠层之中图案化所述沟槽。所述吸收材料能充分吸收EUVL辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN1695093A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN02812046.9 | 申请日期 | 2002.07.11 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 沛阳·严 |
| 分类号 | G03F1/14 | 主分类号 | G03F1/14 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种用于极端远紫外线光刻技术的光刻掩模，包括：多层叠层，所述多层叠层能充分反射所述极端远紫外线光刻辐射；附加多层叠层，被形成到所述多层叠层的顶部；以及吸收材料，所述吸收材料被形成在所述附加多层叠层内的图案化的沟槽中，所述吸收材料能充分吸收极端远紫外线光刻辐射。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||