一种低水峰单模光纤的制造方法

摘要

本发明涉及一种降低光纤预制棒中羟基含量以制备低水峰单模光纤的方法，本发明的工艺过程为：在适当的环境条件下，将一定比例的高纯原料气体SiCl₄、GeCl₄、O₂和C₂F₆通过密封良好的导管和旋转夹头导入低羟基衬底管，在微波作用下激发反应气体进行反应，在衬底管内壁沉积一定结构设计的沉积层。按熔缩工艺将衬底管熔缩成实心的芯棒，用RIT工艺将芯棒与低羟基套管组合成光纤预制棒，或通过OVD工艺在芯棒外表面沉积外包层制成光纤预制棒，再将光纤预制棒送入拉丝炉拉丝成纤。用本发明方法制备的光纤在1310nm处的衰耗小于0.344dB/km，1383nm处的衰耗小于0.334dB/km，1550nm处的衰耗小于0.224dB/km，1383nm处的损耗低于1310nm的规定值。

主权项

1、一种低水峰单模光纤的制造方法，采用PCVD工艺对衬底管进行沉积，在衬底管内壁沉积沉积层，按熔缩工艺将衬底管熔缩成实心的芯棒，用RIT工艺将芯棒与低羟基套管组合成光纤预制棒，或通过OVD工艺在芯棒外表面沉积外包层制成光纤预制棒，将光纤预制棒送入拉丝炉拉丝成纤，其特征在于：在PCVD工艺中，混合气体原料杂质的含量用其红外光谱的透过率来衡量，要求透过率大等于90％，O2中的水含量要求小等于100ppb，C2F6中的水含量要求小等于1000ppb，衬底管的羟基含量要求小等于1000ppb，沉积车床的动态泄漏率小等于1.0×10-5mbar.l/s；衬底管熔缩时，熔缩车床的动态泄漏率小等于1.0×10-5mbar.l/s；低羟基套管的羟基含量要求小等于10ppm；制备过程中环境的相对湿度小等于25％；光纤的波导结构中包层直径/芯层直径比值(b/a值)为2.0到7.0。