保形性、应力和化学气相沉积层成分独立可变的甚低温化学气相沉积工艺

摘要

一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。

主权项

1.一种将物质植入工件的方法，其特征是包括：把上述工件放置在工艺室的工艺区内，该工艺室有一对通常在上述工艺区的相对侧面附近的端口，该端口和上述工艺室外部的管道连接在一起；将包括要植入的第一类物质在内的工艺气体注入上述工艺室中；由上述反应气体产生等离子体流，引起上述等离子体流在包括上述管道和上述工艺区的循环再进入路径上震荡；将偏压与上述工件耦合，并设置上述偏压至与上述物质要植入的工件表面以下所想要的深度分布相对应的等级大小。