| 发明名称 | 存储设备的电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1694256A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN200510076258.0 | 申请日期 | 2005.05.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴永洙;李正贤;赵重来;具俊谟;金锡必;申尚旻 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/02 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种包括晶体管结构的存储设备的电容器，所述电容器包括：形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极；围绕下部电极形成的铁电层；和形成在铁电层上的上部电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||