Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Graben in einem Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die Schritte auf: Ausbilden einer Grabenmaske (21) auf einer oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats (20); Ausbilden eines Grabens (6), derart, dass der Graben (6) ein Längen- oder Streckenverhältnis von gleich oder größer als 2 hat und einen Grabenneigungs- oder Böschungswinkel von gleich oder mehr als 80 DEG hat; und Entfernen eines Schadensbereichs, derart, dass der Schadensbereich, der an einer inneren Oberfläche des Grabens (6) in dem Halbleitersubstrat (20) liegt und beim Schritt des Ausbildens des Grabens (6) gebildet wurde, in einer Wasserstoffatmosphäre unter Unterdruck bei einer Temperatur von gleich oder mehr als 1600 DEG C geätzt und entfernt wird.