| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种封装型半导体装置及其制造方法，可提高芯片尺寸封装型半导体装置及其制造方法的可靠性。准备形成有焊盘电极(11)的半导体衬底(10)，并在半导体衬底(10)的表面形成由环氧树脂构成的第一保护层(20)。然后，形成自半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(12)。然后，形成通过通孔(12)与焊盘电极(11)电连接且自通孔(12)延伸至半导体衬底(10)的背面的配线层(13)。然后，形成第二保护层(14)、导电端子(15)，再通过切割将半导体衬底(10)分离为各个半导体芯片(10A)。 | ||
| 申请公布号 | CN1691318A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200510067474.9 | 申请日期 | 2005.04.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 | 发明人 | 落合公 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/301;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：焊盘电极，其形成于半导体芯片的第一主面上；第一保护层，其粘接在所述半导体芯片的第一主面上；通孔，其从所述半导体芯片的第二主面贯通到所述焊盘电极的表面；绝缘膜，其形成于所述通孔及所述半导体芯片的第二主面上；配线层，其通过所述通孔与所述焊盘电极电连接且自所述通孔延伸到所述半导体芯片的第二主面上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||