形成半导体器件的接触插塞的方法

摘要

在形成半导体器件的接触插塞的方法中，使用固相外延法形成外延硅以作为接触材料。与使用多晶硅作为接触材料的现有技术相比，该方法可获得减小的接触电阻和改进的刷新特性。此外，该方法使用了SPE法而不是传统的SEG法来形成外延硅，使得其能够通过低温工艺基本降低热预算。本发明还能够使用传统的多晶硅淀积工艺而不用修改，从而简单并多产地形成外延硅。

主权项

1.一种形成半导体器件的接触插塞的方法，包括下列步骤：提供硅衬底，所述硅衬底具有多个导电图案和所述导电图案之间的结区；在所述衬底上形成层间绝缘膜；形成接触孔以暴露所述衬底的所述结区；使用固相外延法在包括所述接触孔的所述整个衬底上淀积硅膜，使得外延硅生长在所述衬底的所述结区上并且非晶硅淀积在其上；以及对所得结构退火以将所述非晶硅重新生长为外延硅。