发明名称 | 奈米碳管场发射阴极之制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种场发射元件之制备方法,特别涉及一种奈米碳管场发射阴极之制备方法。该奈米碳管场发射阴极制备方法包括下列步骤:提供适量奈米碳管并配成悬浮液;提供一基板,该基板上形成有电极;于该基板上印刷一层导电浆料;将奈米碳管悬浮液分布于该导电浆料层上,形成一奈米碳管层;刻划,于导电浆料层上划出复数个格子,使部分奈米碳管至少一端相对导电浆料层翘立;烧结,得到均匀的场发射体表面。该方法制备之奈米碳管场发射阴极可用于背光板或场发射平面显示器。 | ||
申请公布号 | TW200535898 | 申请公布日期 | 2005.11.01 |
申请号 | TW093111391 | 申请日期 | 2004.04.23 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 柳鹏;魏洋;盛雷梅;刘亮;范守善;胡昭复 |
分类号 | H01J37/073 | 主分类号 | H01J37/073 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |