| 主权项 |
1.一种于电路元件上形成导电凸块之制造方法,系包括以下步骤:提供一电路元件,该电路元件上形成有多数焊垫及覆盖该焊垫至少一部份之保护层;于该保护层及焊垫上形成一凸块底部金属化(UnderBump Metallurgy, UBM)结构层;于该保护层上形成一光阻层,该光阻层对应于各焊垫处形成有开口,以于该开口形成具足够厚度之铜层;于该铜层外形成一焊料层;以及回焊该铜层及焊料层以形成复数个导电凸块。2.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,复包括于该铜层形成后,去除该光阻层及焊垫部位以外之UBM结构层。3.如申请专利范围第2项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,复包括去除该光阻层及UBM结构层以后,于该保护层上形成一具多数开口之第二光阻层,俾使该焊垫上所形成之铜层结构完全收纳于该第二光阻层之开口中。4.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该电路元件系为一晶圆。5.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该电路元件系为一基板。6.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该凸块底部金属化结构层系为一铝-镍/钒-铜(Al-Ni/V-Cu)合金。7.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该凸块底部金属化结构层具有一镍材质之阻障层。8.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该凸块底部金属化结构层具有一钒材质之阻障层。9.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该光阻层系为一乾膜(DryFilm )。10.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该光阻层系为一液态光阻。11.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该铜层厚度介于1至10微米。12.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该铜层系以电镀方式形成。13.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该焊料层之材质以锡(Sn)为主。14.如申请专利范围第13项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该焊料层系为一锡银(Sn-Ag)二元焊料。15.如申请专利范围第13项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该焊料层系为一锡铋(Sn-Bi)二元焊料。16.如申请专利范围第13项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该焊料层为一铜含量未超过0.5%之锡-银-铜三元焊料。17.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该焊料层系以电镀方式形成。18.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该焊料层系以网印方法(Print Screening)形成。19.如申请专利范围第1项之于电路元件上形成导电凸块之制造方法,其中,该迥焊之温度系介于220至260℃。图式简单说明:第1A至1G图系显示习知于晶圆上形成凸块的制程流程图;第2A至2G图系显示本发明无铅导电凸块之制造方法之第一实施例;以及第3A至3H图系显示本发明无铅导电凸块之制造方法之第二实施例。 |
