| 主权项 |
1.一种半导体元件,其包括:一夹层绝缘薄膜,其形成在该半导体基材上;一熔丝,其被埋设在该夹层绝缘薄膜中;以及一覆盖薄膜,其形成在该夹层绝缘薄膜上,且具有一向下形成至该熔丝的开口,在该开口中,该夹层绝缘薄膜被形成与该熔丝的一侧壁连接。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中在该开口中,该熔丝的表面及该夹层绝缘薄膜之表面系实质上彼此相等的。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其更进一步包括:一形成在该开口中之熔丝上的熔丝保护薄膜。4.如申请专利范围第3项之半导体元件,其中该熔丝保护薄膜系被延伸在该覆盖薄膜之上。5.如申请专利范围第3项之半导体元件,其中该熔丝保护薄膜系比该覆盖薄膜薄。6.如申请专利范围第3项之半导体元件,其中该熔丝保护薄膜的厚度为不超过350nm。7.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中多数的熔丝被形成在该开口中。8.如申请专利范围第1项之半导体元件,更进一步包括:一保护环,其围绕该等熔丝被形成的区域。9.一种用于制造半导体元件的方法,其包括下述之步骤:形成覆盖一基材,埋设在一夹层绝缘薄膜中之熔丝;形成一覆盖薄膜,覆盖该夹层绝缘薄膜;以及在该覆盖薄膜形成一向下至该熔丝的开口,在该开口中留下该夹层绝缘薄膜在该熔丝之至少一侧壁。10.如申请专利范围第9项之用于制造半导体元件的方法,其中在形成该开口的步骤中,该覆盖薄膜系被蚀刻,使该熔丝的表面及该夹层绝缘薄膜的表面实质上彼此相等。11.如申请专利范围第9项之用于制造半导体元件的方法,更进一步包括,在形成该开口之后的下述步骤:在该开口形成一用于覆盖该熔丝的熔丝保护薄膜。12.如申请专利范围第11项之用于制造半导体元件的方法,更进一步包括,在形成该熔丝保护薄膜之后的下述步骤:形成一衬垫开口。13.如申请专利范围第9项之用于制造半导体元件的方法,更进一步包括,在形成该开口之后的下述步骤:分离该熔丝。14.如申请专利范围第9项之用于制造半导体元件的方法,其中形成该熔丝的步骤包括形成该夹层绝缘薄膜覆盖该基材的步骤、在该夹层绝缘薄膜形成该横向连接槽的步骤,以及在该横向连接槽形成该熔丝的步骤。15.如申请专利范围第9项之用于制造半导体元件的方法,其中形成该熔丝的步骤包括在该基材上形成该熔丝的步骤,及形成该夹层绝缘薄膜以覆盖该熔丝的步骤。16.如申请专利范围第15项之用于制造半导体元件的方法,更进一步包括下述之步骤:平面化该夹层绝缘薄膜的表面。图式简单说明:第1A图系根据本发明之一第一具体实施例之半导体元件的平面图,其显示该半导体元件的结构。第1B及1C图系根据本发明之一第一具体实施例之半导体元件的横截面图,其显示该半导体元件的结构。第2图系根据本发明之一第一具体实施例之半导体元件的概要图,其显示该半导体元件的结构。第3A-3E及4A-4C图系根据本发明之一第一具体实施例,在用于制造半导体元件之方法的步骤中,其显示该方法中之半导体元件的横截面图。第5图系根据本发明之一第一具体实施例的变化之半导体元件的横截面图,其显示该半导体元件的结构。第6A图系根据本发明之一第二具体实施例之半导体元件的平面图,其显示该半导体元件的结构。第6B及6C图系根据本发明之一第二具体实施例之半导体元件的横截面图,其显示该半导体元件的结构。第7A-7C及8A-8C图系根据本发明之一第二具体实施例,在用于制造半导体元件之方法的步骤中,其显示该方法中之半导体元件的横截面图。第9及10图系根据本发明之具体实施例的变化,及用于制造该半导体元件之半导体元件的横截面图,其显示该半导体元件的结构。 |
