| 主权项 |
1.一种单边埋入导电带(Single side buried strip, SSBS)之制作方法,该制作方法包含有下列步骤:提供一基底,该基底中包含有一深沟渠,且该深沟渠内设置有一沟渠电容;于该深沟渠内形成一导电层,并覆盖于该沟渠电容上;于该基底表面形成一遮罩层,并覆盖于该深沟渠内之侧壁及该导电层上;于该深沟渠内形成一牺牲层;进行一斜角离子布植制程;去除该牺牲层;去除未受离子布植之部分该遮罩层;以及利用未被去除之部分该遮罩层当作硬遮罩来蚀刻该导电层。2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该遮罩层系利用高密度电浆化学气相沉积法所形成。3.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该遮罩层另包含一上遮罩层以及一下遮罩层。4.如申请专利范围第3项所述之制作方法,其中该下遮罩层系为一TEOS氧化层或氮矽层。5.如申请专利范围第4项所述之制作方法,其中该上遮罩层系为一非晶矽层。6.如申请专利范围第5项所述之制作方法,其中去除未受离子布植之部分该遮罩层的步骤系利用一湿蚀刻制程。7.如申请专利范围第6项所述之制作方法,其中应用于该上遮罩层之该湿蚀刻制程系利用氯水当蚀刻液。8.如申请专利范围第6项所述之制作方法,其中应用于该下遮罩层之该湿蚀刻制程系利用稀释之氢氟酸(DHF)当蚀刻液。9.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中覆盖于该深沟渠内之侧壁及该导电层上之该遮罩层系于该深沟渠内形成一凹槽(recess)。10.如申请专利范围第9项所述之制作方法,其中该牺牲层系形成于该凹槽底部且不填满该凹槽。11.如申请专利范围第10项所述之制作方法,其中该牺牲层系用来吸收该斜角离子布植制程中反射或散射等之能量较低的掺杂离子。12.如申请专利范围第11项所述之制作方法,其中该牺牲层系可允许该斜角离子布植制程之掺杂离子直接穿透该牺牲层以布植入部分之该遮罩层。13.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该牺牲层系为一低密度之材料。14.如申请专利范围第13项所述之制作方法,其中该牺牲层系为涂式玻璃(SOG)、抗反射层或光阻层。15.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该导电层系为多晶矽层。16.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该基底系为矽基底。图式简单说明:第1图至第3图习知制作一深沟渠单边埋藏导电带之方法示意图。第4图至第9图为本发明之深沟渠单边埋藏导电带制作方法之示意图。 |
