| 主权项 |
1.一种利用奈米复合结构之感测元件,该奈米复合结构包含:一基板;及一异质奈米结构,包含复数个直径范围介于5~100奈米之间的金属及/或半金属核,该金属及/或半金属核外围包覆一半导体及/或绝缘材料使每一该金属及/或半金属核之间之间距在1~50奈米之间。2.如申请专利范围第1项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该金属或半金属核系选自由一金属元素、一金属元素化合物、一金属元素混合物、一导电性佳之金属氮化物、一金属氧化物以及上述任意数种材料的一混合组成物所构成之群组之其中之一。3.如申请专利范围第2项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该金属元素系选自由Al、Ti、Cu、In、Sn、Ag、Fe、Pb、Cr、Cd、Zn以及Te所构成的群组之其中之一。4.如申请专利范围第2项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该导电性佳之金属氮化物为是TiN。5.如申请专利范围第2项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该金属氧化物系选自由ITO、PbO2、CrO2、Nb2O3、CdO、Fe3O4、Ga2O、ZnO、AgO、Fe2O3、In2O3、SnO2以及CuO所构成的群组之其中之一。6.如申请专利范围第2项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该半导体及/或绝缘材料系选自由一IV族半导体元素或其混合物、一II-VI族半导体元素或其混合物、一III-V族半导体元素或其混合物、一III-V族半导体元素或其混合物、一IV-VI族半导体元素或其混合物、一氮氧化合物以及上述任意数种材料的一混合组成物所构成的群组之其中之一。7.如申请专利范围第6项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该IV族半导体元素系选自由Si、Ge以及C所构成的群组之其中之一。8.如申请专利范围第6项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该II-VI族半导体元素混合物系选自由ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、CdS、CdSe、CdTe及CdO所构成的群组之其中之一。9.如申请专利范围第6项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该III-V族半导体元素混合物系选自由AlAS、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs以及InSb所构成的群组之其中之一。10.如申请专利范围第6项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该IV-VI族半导体元素混合物系选自由PbS、PbO、PbSe以及PbTe所构成的群组之其中之一。11.如申请专利范围第6项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该氮氧化合物系选自由AlNx、AlOx、TiOx、TiOxNy、SiO2、Fe2O3、In2O3、SnO2、CuO及NiO所构成的群组之其中之一。12.如申请专利范围第1项所述之利用奈米复合结构之感测元件,其中该异质奈米结构系利用反应式溅镀金属靶材的方式形成于该基板上。图式简单说明:第1图为本发明之奈米复合结构一较佳实施例之示意图;第2A图为本发明之奈米复合结构一较佳实施例之示意图;第2B图为对应第2A图中该较佳实施例之量子井及连续能带形成之示意图;第3图,为本发明奈米复合结构一较佳实施例之截面示意图;第4图,为不同制程条件下产生的不同奈米复合结构薄膜对不同波长电磁波之吸收图谱;及第5图,为本发明在照光与不照光两种条件下之I-V曲线。 |
