| 主权项 |
1.一种有机电致发光元件,系设置于一基板上,包含:至少一第一电极,设置于该基板上;至少一电子屏障结构,系设置于该第一电极之间;至少一有机官能层,系覆盖该第一电极及该电子屏障结构;以及至少一第二电极,设置于该有机官能层上,其中,该电子屏障结构之阻値小于该有机官能层之阻値。2.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该第一电极系为条状。3.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该第二电极系为条状。4.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该基板为一主动元件阵列基板,而该第一电极具有复数画素电极,且该第二电极为一共用电极。5.如申请专利范围第4项所述之有机电致发光元件,其中该些相邻之画素电极间系以该电子屏障结构相隔。6.如申请专利范围第4项所述之有机电致发光元件,更包含:复数条扫瞄线,设置于该主动元件阵列基板上;复数条资料线,与该些扫瞄线交错设置于该主动元件阵列基板上;以及复数作动元件,其系分别设置于邻近该些扫瞄线与该些资料线的交错处,每一该些作动元件系电性耦接至其所对应之该些扫瞄线其中之一与该些资料线其中之一。7.如申请专利范围第4项所述之有机电致发光元件,其中该电子屏障结构为一网状结构。8.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该第一电极与该第二电极之材质系为导电物质或导电之金属氧化物。9.如申请专利范围第8项所述之有机电致发光元件,其中该导电之金属氧化物系选自氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟锌及镉锡氧化物至少其中之一。10.如申请专利范围第8项所述之有机电致发光元件,其中该导电物质系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、铬、铜、银、金及其合金至少其中之一。11.如申请专利范围第10项所述之有机电致发光元件,其中该含镁之合金包括镁银合金、镁铟合金、镁锡合金、镁锑合金及镁碲合金。12.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中电子屏障结构之材质系为多晶矽、导电物质或导电之金属氧化物。13.如申请专利范围第12项所述之有机电致发光元件,其中该导电之金属氧化物系选自氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟锌及镉锡氧化物至少其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之有机电致发光元件,其中该导电物质系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、铬、铜、银、金及其合金至少其中之一。15.如申请专利范围第14项所述之有机电致发光元件,其中该含镁之合金包括镁银合金、镁铟合金、镁锡合金、镁锑合金及镁碲合金。16.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该电子屏障结构之材质与该第一电极或该第二电极之材质相同。17.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该第一电极之延伸方向与该第二电极的延伸方向不同。18.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该电子屏障结构系连结至该第一电极或接地端。19.如申请专利范围第1项所述之有机电致发光元件,其中该电子屏障结构具有至少一条状结构。20.一种有机电致发光元件,系设置于一基板上,包含:一第一电极层,具有复数第一条状电极,设置于该基板上;复数电子屏障结构,系分别设置于该些第一条状电极之间;至少一有机官能层,系覆盖该些第一条状电极及该些电子屏障结构;以及一第二电极层,具有复数第二条状电极,设置于该有机官能层上,其中,该些电子屏障结构之阻値小于该有机官能层之阻値。21.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该基板为一主动元件阵列基板,而该第一电极层具有复数画素电极,且该第二电极层为一共用电极。22.如申请专利范围第21项所述之有机电致发光元件,其中相邻之该些画素电极间系以该些电子屏障结构其中之一相隔。23.如申请专利范围第21项所述之有机电致发光元件,更包含:复数条扫瞄线,设置于该主动元件阵列基板上;复数条资料线,与该些扫瞄线交错设置于该主动元件阵列基板上;以及复数作动元件,其系分别设置于邻近该些扫瞄线与该些资料线的交错处,每一该些作动元件系电性耦接至其所对应之该些扫瞄线其中之一与该些资料线其中之一。24.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构为一网状结构。25.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该第一电极层与该第二电极层之材质系为导电物质或导电之金属氧化物。26.如申请专利范围第25项所述之有机电致发光元件,其中该导电之金属氧化物系选自氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟锌及镉锡氧化物至少其中之一。27.如申请专利范围第25项所述之有机电致发光元件,其中该导电物质系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、铬、铜、银、金及其合金至少其中之一。28.如申请专利范围第27项所述之有机电致发光元件,其中该含镁之合金包括镁银合金、镁铟合金、镁锡合金、镁锑合金及镁碲合金。29.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构之材质系为多晶矽、导电物质或导电之金属氧化物。30.如申请专利范围第29项所述之有机电致发光元件,其中该导电之金属氧化物系选自氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟锌及镉锡氧化物至少其中之一。31.如申请专利范围第29项所述之有机电致发光元件,其中该导电物质系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、铬、铜、银、金及其合金至少其中之一。32.如申请专利范围第31项所述之有机电致发光元件,其中该含镁之合金包括镁银合金、镁铟合金、镁锡合金、镁锑合金及镁碲合金。33.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构之材质与该第一电极层或该第二电极层之材质相同。34.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该些第一条状电极之延伸方向与该些第二条状电极的延伸方向不同。35.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构系分别连结至该些第一条状电极其中之一或接地端。36.如申请专利范围第20项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构具有至少一条状结构。37.一种有机电致发光元件,系设置于一基板上,包含:复数画素,其系包含一第一电极层、至少一有机官能层及一第二电极层;以及复数电子屏障结构,系分别设置于该些画素之间,且该些电子屏障结构之阻値小于该有机官能层之阻値。38.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该些画素更包含至少一薄膜电晶体与至少一电容。39.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该基板为一主动元件阵列基板,而该第一电极层具有复数画素电极,且该第二电极层为一共用电极。40.如申请专利范围第39项所述之有机电致发光元件,其中相邻之该些画素电极间系以该些电子屏障结构相隔。41.如申请专利范围第39项所述之有机电致发光元件,更包含:复数条扫瞄线,设置于该主动元件阵列基板上;复数条资料线,与该些扫瞄线交错设置于该主动元件阵列基板上;以及复数作动元件,其系分别设置于邻近该些扫瞄线与该些资料线的交错处,每一该些作动元件系电性耦接至其所对应之该些扫瞄线其中之一与该些资料线其中之一。42.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构为一网状结构。43.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该第一电极层与该第二电极层之材质系为导电物质或导电之金属氧化物。44.如申请专利范围第43项所述之有机电致发光元件,其中该导电之金属氧化物系选自氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟锌及镉锡氧化物至少其中之一。45.如申请专利范围第43项所述之有机电致发光元件,其中该导电物质系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、铬、铜、银、金及其合金至少其中之一。46.如申请专利范围第45项所述之有机电致发光元件,其中该含镁之合金包括镁银合金、镁铟合金、镁锡合金、镁锑合金及镁碲合金。47.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构之材质系为多晶矽、导电物质或导电之金属氧化物。48.如申请专利范围第47项所述之有机电致发光元件,其中该导电之金属氧化物系选自氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟锌及镉锡氧化物至少其中之一。49.如申请专利范围第47项所述之有机电致发光元件,其中该导电物质系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、铬、铜、银、金及其合金至少其中之一。50.如申请专利范围第49项所述之有机电致发光元件,其中该含镁之合金包括镁银合金、镁铟合金、镁锡合金、镁锑合金及镁碲合金。51.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构之材质与该第一电极层或该第二电极层之材质相同。52.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该第一电极层具有复数第一条状电极,该第二电极层具有复数第二条状电极,该些第一条状电极之延伸方向与该些第二条状电极的延伸方向不同。53.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构系连结至该些第一条状电极其中之一或接地端。54.如申请专利范围第37项所述之有机电致发光元件,其中该些电子屏障结构具有至少一条状结构。图式简单说明:图1绘示为习知一种被动式有机电致发光元件的剖面示意图。图2绘示为习知一种主动式有机电致发光元件的剖面示意图。图3A绘示为本发明一较佳实施例的一种被动式有机电致发光元件之俯视图。图3B绘示为图3A所绘示之被动式有机电致发光元件沿I-I'线的剖面示意图。图4绘示为本发明另一较佳实施例的一种被动式有机电致发光元件之俯视图。图5绘示为本发明又一较佳实施例的一种被动式有机电致发光元件之俯视图。图6绘示为本发明之一较佳实施例的一种主动式有机电致发光元件的立体示意图。 |
