| 摘要 |
Disposición para la protección de fases finales (T1, T2) de semiconductores de potencia formadas con MOS-FETs en circuito de lado bajo, que conectan, en función de una señal de control, arrollamientos de excitación (L1, L2) de sentido opuesto de un motor conmutable electrónicamente o bobinas arrolladas en sentido opuesto de un relé de conmutación o de un contactor disyuntor con circuito magnético común en una tensión de alimentación de corriente continua y los desconectan de esta tensión, en la que la energía puede ser transmitida por transformador desde un arrollamiento de excitación (L1) o bobina sobre el otro arrollamiento de excitación (L2) o bobina que actúa como inductividad adicional (Lz), que está cargado con una resistencia (R) o está acoplado en la dirección de la corriente opuesta con la tensión de alimentación de corriente continua (Ubatt), y en la que, en el caso de un motor conmutable electrónicamente, la inductividad adicional para un arrollamiento de excitación (por ejemplo,L1) alimentado es, respectivamente, el arrollamiento de excitación (L2) que es alimentado a continuación en el sentido opuesto en el ciclo de conmutación, caracterizada porque la energía de desconexión W = ¿ Ll2, que aparece durante la desconexión en el consumidor inductivo (L, L1, L2) puede ser transmitida sobre la inductividad adicional (Lz, L2, L1) y porque las fases finales (T, T1, T2) de semiconductores de potencia son MOS-FETs de canal, donde un diodo parasitario del MOS-FET respectivo forma, durante la desconexión de la señal de control (st), un circuito de corriente con flujo de corriente reducido. |
