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Die Erfindung betrifft NPN- und PNP-Bipolartransistoren und ein Verfahren zur Herstellung derselben, die sich durch eine besonders hohe Kollektor-Emitter- und Kollektor-Basis-Sperrspannung auszeichnen. Die Erhöhung der Sperrspannungen wird durch ein besonderes Dotierungsprofil erreicht. Bei einem NPN-Bipolartransistor mit einem p-dotierten Substrat 1 bildet eine vergrabene n-dotierte Schicht 3 den Kollektor, eine oberhalb der vergrabenen n-dotierten Schicht angeordnete p-dotierte Schicht 7 die Basis und eine innerhalb der p-dotierten Schicht angeordnete n-dotierte Schicht den Emitter des Transistors. Es bilden sich eine erste Raumladungszone RLZ 1 zwischen der p-dotierten Schicht und der vergrabenen n-dotierten Schicht eine zweite Raumladungszone RLZ 2 zwischen der vergrabenen n-dotierten Schicht und dem p-Substrat aus, die sich beim Betrieb des Transistors mit zunehmendem Potential an dem Kollektor in vertikaler Richtung ausdehnen. Die vergrabene n-dotierte Schicht weist ein Dotierungsprofil auf, das derart geschaffen ist, dass die sich beim Betrieb des Transistors mit zunehmendem Potential an dem Kollektor ausdehnende erste und zweite Raumladungszone die gesamte Tiefe der vergrabenen n-dotierten Schicht durchdringen, bevor die kritische Feldstärke für einen Durchbruch zwischen Kollektor und Emitter erreicht wird.
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