| 发明名称 |
DRAM-Speicher mit vertikal angeordneten Auswahltransistoren und Verfahren zur Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10260770(B4) |
申请公布日期 |
2005.10.27 |
| 申请号 |
DE20021060770 |
申请日期 |
2002.12.23 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SOMMER, MICHAEL;ENDERS, GERHARD |
| 分类号 |
G11C11/404;H01L21/334;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
G11C11/404 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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