| 发明名称 | 发光二极管器件 | ||
| 摘要 | 发光二极管器件包括具有近似半球形凹面的反射器构件。在凹面的内表面设置反射器表面并且在凹面中设置发光二极管。发光二极管所设置的位置使得发光二极管发出的一部分光束能远离光轴，而另一部分光束则接近光轴。 | ||
| 申请公布号 | CN1225034C | 申请公布日期 | 2005.10.26 |
| 申请号 | CN02127117.8 | 申请日期 | 2002.07.25 |
| 申请人 | 株式会社西铁城电子;河口湖精密株式会社 | 发明人 | 堀内惠;中村忍 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括：具有近似于半球形凹面的反射器构件(5)；在凹面上提供的反射器表面(5a)；凹面中设置的发光二极管；以及发光二极管所设置的位置使发光二极管发出的一部分光束远离光轴，而另一部分光束则接近光轴，其中反射器的表面包括关于X轴的第一反射器表面和关于Y轴的第二反射器表面，发光二极管设置在X轴抛物线的焦点和Y轴抛物线的焦点之间的位置上，第一反射器表面和第二反射器表面具有不同的曲率。 | ||
| 地址 | 日本山梨县 | ||