适用于形成集成电路互连和器件的金属－金属氧化物蚀刻阻滞/电子迁移屏蔽的方法

摘要

披露了一种适用于形成具有金属－金属氧化物电子屏蔽和蚀刻阻滞的互连的方法和装置。在本发明的一实施例中，该方法包括在平整的互连层上沉积金属层，该互连层具有一层中间介质(ILD)且其上顶面与导电互连层的上顶面相平齐。在本发明的一实施例中，该方法包括金属层与ILD反应，以在ILD上顶面形成金属氧化层。同时，金属层不会被导电互连明显氧化，于是在导电互连上形成金属屏蔽，以改善电子迁移性能。金属屏蔽和金属氧化层一起构成了保护层。随后在保护层上形成第二层ILD，并且保护层可以在后续第二层ILD的蚀刻过程中起到蚀刻阻滞的作用。

主权项

1.一种方法，其特征在于，该方法包括：采用在一层互连层上沉积金属层的方法在一层互连层上形成一层金属氧化层，该互连层包括在第一层中间介质(ILD)中形成的互连，以及所述金属层与第一层ILD反应，以形成金属氧化层。