制备纳米硅基发光复合薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法，使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统，电板极板的下极板为双层筛状进气结构，两极板的板间距为2.0－2.5cm，射频信号加到下极板上，上极板接地；选用99.99％的纯硅烷、氮气和氢气的混合气体作为前驱物，基片单晶硅片放置在上极板；这样保证小功率(35W)射频输入下的薄膜制备，基片温度被控制在低于50℃，在低温基片上生长的复合薄膜中更容易存活硅颗粒，颗粒尺寸小于2.0纳米，颗粒数密度可达2.2×10¹³/cm²；此方法可以用于制备从红光到紫光范围可调的高效发光复合薄膜，发光效率可达10％，并且生产设备简单、经济、无污染和可靠性高。

主权项

1、一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法，包括以下步骤：(1)根据已知方法对衬底进行前期处理后，将衬底固定在电容极板的上极板的下表面；电容极板位于电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统的真空室内；所述衬底为单晶硅片或石英玻璃；(2)将电容极板的上极板接地，将射频功率小于40W的射频信号加到下极板上，将混合气体从电容极板的下极板的下表面匀速、缓慢进入两极板之间；调节上、下极板之间的距离和工作气压大小，使两极板边缘及外侧无放电，极板间均匀放电。