| 发明名称 | 防止化学机械抛光中的凹陷和侵蚀的半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 第一绝缘膜形成在下层基片上，该第一绝缘膜由第一绝缘材料所制成。第二绝缘膜形成在第一绝缘膜上，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料。形成通过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度。在第二绝缘膜上淀积由导电材料所制成的布线层，该布线层埋住该沟槽。对该布线层进行抛光，以把布线层遗留在该沟槽中。对该布线层和第二绝缘膜进行抛光，直到第一绝缘膜暴露出来时为止。本发明可以抑制凹陷和侵蚀的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1225019C | 申请公布日期 | 2005.10.26 |
| 申请号 | CN03106424.8 | 申请日期 | 2003.02.25 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 宫嶋基守;柄沢章孝;细田勉;大塚敏志 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其中包括如下步骤：(a)在下层基片上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜包括第一绝缘材料；(b)在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料；(c)形成穿过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度；(d)在第二绝缘膜上淀积包括导电材料的布线层，该布线层埋住该沟槽；(e)对该布线层进行抛光，以把布线层遗留在该沟槽中；以及(f)在第二绝缘膜的抛光速度比布线层的抛光速度更快的条件下对布线层和第二绝缘膜进行抛光，直到第一绝缘膜被暴露。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||