| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement mit erhöhter Robustheit, bei dem eine unmittelbar auf eine Hauptoberfläche (7, 11) des Halbleiterkörpers (1) aufgetragene Kontaktschicht (13, 14) aus einem schwer schmelzenden Metall (13) oder aus einer dünnen Aluminiumschicht (14), deren Schichtdicke vorzugsweise zwischen 1 und 5 nm liegt, besteht. Diese Kontaktschicht ist mit einem üblichen Mehrschichtmetallisierungssystem (15) verstärkt. Die Aluminiumschicht kann gegebenenfalls strukturiert (14') sein.</p> |
