| 发明名称 | 半导体装置的制造装置和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造装置和制造方法。在成膜室(11)的前级通过挡板等连接着装载闭锁室(12)。在装载闭锁室(12)上连接着供给N<SUB>2</SUB>气体和气体状或雾状的H<SUB>2</SUB>O的配管。该配管从汽化器(13)连接过来。在装载闭锁室(12)内设置有用于放置晶片(20)的搬运部(15)，在装载闭锁室(12)的外部配置有使用液体氮冷却搬运部(15)的冷却器(14)。搬运部(15)的温度被保持在例如－4℃。 | ||
| 申请公布号 | CN1685481A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
| 申请号 | CN03822784.3 | 申请日期 | 2003.03.25 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 三浦一隆;野田省三 |
| 分类号 | H01L21/285;C23C14/34 | 主分类号 | H01L21/285 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 权鲜枝 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造装置，具有：成膜室；金属膜形成单元，在所述成膜室内，在半导体基板的上方形成金属膜；水分供给单元，在使用所述金属膜形成单元形成金属膜时，该水分供给单元仅在该初期阶段使所述金属膜中含有水分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||