| 发明名称 | 磁电阻效应膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁电阻效应膜，其能够缩短离子研磨处理的时间并提高读取元件的分辨率。该磁电阻效应膜包括由反射层和顶层组成的保护磁层的保护层。所述反射层和顶层由相同的金属材料制成，所述反射层的金属材料被氧化。 | ||
| 申请公布号 | CN1684145A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
| 申请号 | CN200410074144.8 | 申请日期 | 2004.08.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 河合宪一 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种磁电阻效应膜，包括由反射层和顶层组成的用于保护磁层的保护层，其特征在于：所述反射层和顶层由相同的金属材料制成；以及所述反射层的金属材料被氧化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||